12月29日，凱美特氣公告稱，12月27日，凱美特氣與湖南宜章經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)管理委員會簽訂《郴州宜章電子特種氣體項目投資合同書》，凱美特氣擬在宜章氟化學(xué)循環(huán)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)范圍內(nèi)投資建設(shè)電子特種氣體項目，項目總投資額約為7.2億元人民幣，分期分段建設(shè)。
據(jù)了解，項目主要建設(shè)：空分裝置、氯化氫合成、純化及分裝裝置，氯氣純化及分裝裝置、高純氟氣生產(chǎn)裝置、氟化氫純化及分裝裝置、氟基混配氣裝置、溴化氫合成、純化及分裝裝置、VOC標(biāo)氣混配裝置、五氟化銻裝置、三氟化氯純化及分裝裝置、碳酰氟純化及分裝裝置、電子級乙炔制取、純化及分裝裝置、重水電解制氘氣裝置、甲類倉庫、乙類倉庫、污水、固(危)廢處理裝置、產(chǎn)品精細(xì)化中特氣網(wǎng)試生產(chǎn)實驗裝置等。項目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計年產(chǎn)值達(dá)6.5億元，實現(xiàn)稅收近1億元。
公告顯示，該項目選址于宜章氟化學(xué)循環(huán)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，位置以本合同項目的《國有土地使用權(quán)出讓合同》為準(zhǔn)，項目用地約268畝，因化工企業(yè)在廠區(qū)不宜建設(shè)生活配套設(shè)施，為此，在產(chǎn)業(yè)承接園外環(huán)路旁選址建立技術(shù)研發(fā)及辦公樓、生活區(qū)配套，用地面積約5畝，最終面積以規(guī)劃審批為準(zhǔn)，用地性質(zhì)為工業(yè)用地，出讓期限為30年，土地價格以摘牌價為準(zhǔn)。
電子特氣屬于半導(dǎo)體八大核心材料之一，全球半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SEMI）數(shù)據(jù)顯示，電子特氣在半導(dǎo)體晶圓制造材料價值占比13.50%，電子特氣是繼硅片之后的第二大半導(dǎo)體材料。本文主要就電子特氣及其產(chǎn)業(yè)情況進(jìn)行具體介紹。
1、電子特氣定義及分類
電子特種氣體（簡稱“電子特氣”）是指用于半導(dǎo)體、平板顯示及其它電子產(chǎn)品生產(chǎn)的特種氣體。晶圓制造主要包括清洗、沉積/CVD、光刻、刻蝕、離子注入、成膜等工藝，從單個芯片生成到最后器件的封裝，幾乎每一個環(huán)節(jié)都離不開電子氣體，因此電子特氣被稱為半導(dǎo)體材料的“糧食”和“源”。
電子特氣占據(jù)晶圓制造成本的13.50%，為晶圓制造中僅次于硅片的第二大材料。電子特氣主要品種多達(dá)上百種，被廣泛應(yīng)用于芯片制造過程的各個工藝流程中。
集成電路芯片制造需要使用多種電子特氣，包括硅烷等硅族氣體、PH3等摻雜氣體、CF4 等蝕刻氣體、WF6 等金屬氣相沉積氣體及其他反應(yīng)氣體和清洗氣體等。在電子級硅的制備工藝中，涉及到的電子特氣包括 SiHCl3、SiCl4等。在硅片表面通過化學(xué)氣相沉積成膜（CVD）工藝中，主要涉及 SiH4、SiCl4、WF6等。在晶圓制程中部分工藝涉及氣體刻蝕工藝的應(yīng)用，也稱干法刻蝕，涉及到的電子特氣包括 CF4、NF3、HBr 等，此類刻蝕氣體用量相對較少，刻蝕過程中需與相關(guān)惰性氣體Ar、N2等共同作用實現(xiàn)刻蝕程度的均勻。摻雜工藝是將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，涉及到的電子特氣包括B2H6、BF3等三價氣體和PH3、AsH3等五價氣體。
